Антава

TOSHIBA

Транзистор TK40E06N1,S1X(S

TK40E06N1,S1X(S
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
60 A
Power dissipation
67 W
Корпус
TO220-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяTK40E06N1,S1X(S
ПроизводительTOSHIBA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current60 A
Power dissipation67 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance10.4 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge23nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 60A; 67W; TO220-3

Документация

Документ производителя