Антава

TOSHIBA

Транзистор TK3P50D,RQ

TK3P50D,RQ
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
3 A
Power dissipation
60 W
Корпус
DPAK
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяTK3P50D,RQ
ПроизводительTOSHIBA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current3 A
Power dissipation60 W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance3 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge7nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; 60W; DPAK

Документация

Документ производителя