Антава

TOSHIBA

Транзистор TK3A90E,S4X(S

TK3A90E,S4X(S
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
900 V
Drain current
2.5 A
Pulsed drain current
7.5 A
Рассеиваемая мощность
35 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяTK3A90E,S4X(S
ПроизводительTOSHIBA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage900 V
Drain current2.5 A
Pulsed drain current7.5 A
Рассеиваемая мощность35 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance4.6 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge15nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.5A; Idm: 7.5A; 35W; TO220FP

Документация

Документ производителя