Антава

TOSHIBA

Транзистор TK39J60W,S1VQ(O

TK39J60W,S1VQ(O
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
38.8 A
Рассеиваемая мощность
270 W
Корпус
TO3PN
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяTK39J60W,S1VQ(O
ПроизводительTOSHIBA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current38.8 A
Рассеиваемая мощность270 W
КорпусTO3PN
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance65 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge110nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO3PN

Документация

Документ производителя