Антава

TOSHIBA

Транзистор TK34E10N1,S1X(S

TK34E10N1,S1X(S
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
75 A
Power dissipation
103 W
Корпус
TO220-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяTK34E10N1,S1X(S
ПроизводительTOSHIBA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current75 A
Power dissipation103 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance9.5 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge38nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 103W; TO220-3

Документация

Документ производителя