Антава

TOSHIBA

Транзистор TK33S10N1L,LQ(O

TK33S10N1L,LQ(O
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
33 A
Рассеиваемая мощность
125 W
Корпус
DPAK
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 000 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%337,39 ₽

Сумма · с НДС 22%337,39 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1337,39 ₽
от 5305,52 ₽
от 25269,91 ₽
от 100241,79 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяTK33S10N1L,LQ(O
ПроизводительTOSHIBA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current33 A
Рассеиваемая мощность125 W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance16.2 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge33nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 125W; DPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.