Антава

TOSHIBA

Транзистор TK30E06N1,S1X(S

TK30E06N1,S1X(S
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
30 A
Power dissipation
53 W
Корпус
TO220AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяTK30E06N1,S1X(S
ПроизводительTOSHIBA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current30 A
Power dissipation53 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance12.2 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge16nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; 53W; TO220AB

Документация

Документ производителя