TOSHIBA

Транзистор TK2P90E,RQ(S

TK2P90E,RQ(S

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900 V
Drain current: 2 A
Pulsed drain current: 6 A
Power dissipation: 80 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	TK2P90E,RQ(S
Производитель	TOSHIBA
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	900 V
Drain current	2 A
Pulsed drain current	6 A
Power dissipation	80 W
Корпус	DPAK
Gate-source voltage	±30 V
On-state resistance	5.9 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	12nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2A; Idm: 6A; 80W; DPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.