Антава

TOSHIBA

Транзистор TK2P60D(TE16L1,NV)

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
600 V
Drain current
2 A
Power dissipation
60 W
Gate-source voltage
±30 V
On-state resistance
4.3 Ω
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 424 000 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%75,89 ₽

Сумма · с НДС 22%151 780,00 ₽

От 2000 шт. · шаг 2000

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 200075,89 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяTK2P60D(TE16L1,NV)
ПроизводительTOSHIBA
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage600 V
Drain current2 A
Power dissipation60 W
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance4.3 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge7nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 600V; 2A; 60W

Документация

Документы пока не предоставлены.