Антава

TOSHIBA

Транзистор TK16E60W,S1VX(S

TK16E60W,S1VX(S
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
15.8 A
Рассеиваемая мощность
130 W
Корпус
TO220-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяTK16E60W,S1VX(S
ПроизводительTOSHIBA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current15.8 A
Рассеиваемая мощность130 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.19 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge38nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 130W; TO220-3

Документация

Документ производителя