TOSHIBA
Транзистор TK160F10N1L,LQ(O
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 100 V
- Drain current
- 160 A
- Power dissipation
- 375 W
- Корпус
- TO220SM
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 26 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%797,79 ₽
Сумма · с НДС 22%797,79 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 797,79 ₽ | |
| от 5 | 718,01 ₽ | |
| от 25 | 634,43 ₽ | |
| от 100 | 569,85 ₽ | |
| от 500 | 531,86 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | TK160F10N1L,LQ(O |
|---|---|
| Производитель | TOSHIBA |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 100 V |
| Drain current | 160 A |
| Power dissipation | 375 W |
| Корпус | TO220SM |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 2.4 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 121nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 375W; TO220SM
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.