Антава

TOSHIBA

Транзистор TK12Q60W,S1VQ(S

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
11.5 A
Pulsed drain current
46 A
Power dissipation
100 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяTK12Q60W,S1VQ(S
ПроизводительTOSHIBA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current11.5 A
Pulsed drain current46 A
Power dissipation100 W
КорпусIPAK
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.34 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11.5A; Idm: 46A; 100W; IPAK

Документация

Документ производителя