Антава

TOSHIBA

Транзистор TK12P60W.RVQ(S

TK12P60W.RVQ(S
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
11.5 A
Рассеиваемая мощность
100 W
Корпус
DPAK
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяTK12P60W.RVQ(S
ПроизводительTOSHIBA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current11.5 A
Рассеиваемая мощность100 W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance265 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge25nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11.5A; 100W; DPAK

Документация

Документ производителя