Антава

TOSHIBA

Транзистор TK12A60W,S4VX(M

TK12A60W,S4VX(M
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
11.5 A
Pulsed drain current
46 A
Power dissipation
35 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяTK12A60W,S4VX(M
ПроизводительTOSHIBA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current11.5 A
Pulsed drain current46 A
Power dissipation35 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.3 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge25nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11.5A; Idm: 46A; 35W; TO220FP

Документация

Документ производителя