Антава

TOSHIBA

Транзистор TK11P65W,RQ(S

TK11P65W,RQ(S
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
11.1 A
Рассеиваемая мощность
100 W
Корпус
DPAK
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяTK11P65W,RQ(S
ПроизводительTOSHIBA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current11.1 A
Рассеиваемая мощность100 W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance440 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge25nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.1A; 100W; DPAK

Документация

Документ производителя