Антава

TOSHIBA

Транзистор TK10J80E,S1E(S

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
10 A
Pulsed drain current
30 A
Power dissipation
250 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяTK10J80E,S1E(S
ПроизводительTOSHIBA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current10 A
Pulsed drain current30 A
Power dissipation250 W
КорпусTO3PN
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance1 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge46nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 30A; 250W; TO3PN

Документация

Документ производителя