Антава

TOSHIBA

Транзистор TK10E60W,S1VX(S

TK10E60W,S1VX(S
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
9.7 A
Power dissipation
100 W
Корпус
TO220-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяTK10E60W,S1VX(S
ПроизводительTOSHIBA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current9.7 A
Power dissipation100 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.38 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge20nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 100W; TO220-3

Документация

Документ производителя