Антава

TOSHIBA

Транзистор TK100E10N1,S1X(S

TK100E10N1,S1X(S
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
100 A
Рассеиваемая мощность
255 W
Корпус
TO220AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 610 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%476,09 ₽

Сумма · с НДС 22%476,09 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1476,09 ₽
от 3429,23 ₽
от 10378,62 ₽
от 50341,14 ₽
от 250316,77 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяTK100E10N1,S1X(S
ПроизводительTOSHIBA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current100 A
Рассеиваемая мощность255 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.8 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge0.14µC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 255W; TO220AB

Документация

Документ производителя