Антава

TOSHIBA

Транзистор TK100E06N1,S1X(S

TK100E06N1,S1X(S
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
100 A
Рассеиваемая мощность
255 W
Корпус
TO220AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяTK100E06N1,S1X(S
ПроизводительTOSHIBA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current100 A
Рассеиваемая мощность255 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.3 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge0.14µC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 255W; TO220AB

Документация

Документ производителя