Антава

TOSHIBA

Транзистор TK090E65Z,S1X(S

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
650 V
Drain current
30 A
Power dissipation
230 W
Корпус
TO220
Gate-source voltage
±30 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 300 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%757,14 ₽

Сумма · с НДС 22%15 142,80 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 20757,14 ₽
от 30645,40 ₽
от 50622,28 ₽
от 100606,87 ₽
от 200539,44 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяTK090E65Z,S1X(S
ПроизводительTOSHIBA
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage650 V
Drain current30 A
Power dissipation230 W
КорпусTO220
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance75 mΩ
Gate charge47nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 650V; 30A; 230W; TO220

Документация

Документы пока не предоставлены.