Антава

TOSHIBA

Транзистор TK040N65Z,S1F(S

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
57 A
Pulsed drain current
228 A
Power dissipation
360 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяTK040N65Z,S1F(S
ПроизводительTOSHIBA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current57 A
Pulsed drain current228 A
Power dissipation360 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance33 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge105nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 57A; Idm: 228A; 360W; TO247-3

Документация

Документ производителя