Антава

TOSHIBA

Транзистор TJ9A10M3,S4Q

TJ9A10M3,S4Q
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-100 V
Drain current
-9 A
Power dissipation
19 W
Корпус
TO220FP
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяTJ9A10M3,S4Q
ПроизводительTOSHIBA
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-100 V
Drain current-9 A
Power dissipation19 W
КорпусTO220FP
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.12 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge47nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -9A; 19W; TO220FP

Документация

Документ производителя