TOSHIBA
Транзистор TJ60S06M3L,LXHQ(O
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Drain-source voltage
- -60 V
- Drain current
- -60 A
- Рассеиваемая мощность
- 100 W
- Корпус
- DPAK
- On-state resistance
- 11.2 mΩ
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 767 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%200,97 ₽
Сумма · с НДС 22%14 469,84 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 72 | 200,97 ₽ | |
| от 100 | 184,22 ₽ | |
| от 300 | 173,06 ₽ | |
| от 500 | 169,34 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | TJ60S06M3L,LXHQ(O |
|---|---|
| Производитель | TOSHIBA |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Drain-source voltage | -60 V |
| Drain current | -60 A |
| Рассеиваемая мощность | 100 W |
| Корпус | DPAK |
| On-state resistance | 11.2 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; -60V; -60A; 100W; DPAK
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.