TOSHIBA
Транзистор TJ60S04M3L(T6L1,NQ
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Drain-source voltage
- -40 V
- Drain current
- -60 A
- Рассеиваемая мощность
- 90 W
- Корпус
- DPAK
- Gate-source voltage
- -20...10 V
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 1 754 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%171,34 ₽
Сумма · с НДС 22%14 049,88 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 82 | 171,34 ₽ | |
| от 100 | 156,75 ₽ | |
| от 300 | 145,82 ₽ | |
| от 1000 | 127,59 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | TJ60S04M3L(T6L1,NQ |
|---|---|
| Производитель | TOSHIBA |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Drain-source voltage | -40 V |
| Drain current | -60 A |
| Рассеиваемая мощность | 90 W |
| Корпус | DPAK |
| Gate-source voltage | -20...10 V |
| On-state resistance | 6.3 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; -40V; -60A; 90W; DPAK
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.