TOSHIBA
Транзистор TJ200F04M3L,LXHQ(O
ТранзисторИзображение корпуса
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Drain-source voltage
- -40 V
- Drain current
- -200 A
- Рассеиваемая мощность
- 375 W
- On-state resistance
- 1.8 mΩ
- Монтаж
- SMD — поверхностный
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 362 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%539,53 ₽
Сумма · с НДС 22%14 567,31 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 27 | 539,53 ₽ | |
| от 30 | 431,99 ₽ | |
| от 50 | 410,11 ₽ | |
| от 100 | 391,89 ₽ | |
| от 300 | 344,50 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | TJ200F04M3L,LXHQ(O |
|---|---|
| Производитель | TOSHIBA |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Drain-source voltage | -40 V |
| Drain current | -200 A |
| Рассеиваемая мощность | 375 W |
| On-state resistance | 1.8 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; -40V; -200A; 375W
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.