TAIWAN SEMICONDUCTOR
Диод TESDL5V0B45P1M3 RWG
- Type of diode
- TVS array
- Breakdown voltage
- 5.5...9.5 V
- Max. forward impulse current
- 12 A
- Peak pulse power dissipation
- 0.13 kW
- Semiconductor structure
- bidirectional
- Version
- ESD
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 8 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%65,60 ₽
Сумма · с НДС 22%65,60 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 65,60 ₽ | |
| от 10 | 34,86 ₽ | |
| от 50 | 27,67 ₽ | |
| от 100 | 25,17 ₽ | |
| от 500 | 19,51 ₽ | |
| от 1000 | 17,24 ₽ | |
| от 3000 | 14,06 ₽ | |
| от 6000 | 12,71 ₽ | |
| от 9000 | 12,48 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | TESDL5V0B45P1M3 RWG |
|---|---|
| Производитель | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
| Type of diode | TVS array |
| Breakdown voltage | 5.5...9.5 V |
| Max. forward impulse current | 12 A |
| Peak pulse power dissipation | 0.13 kW |
| Semiconductor structure | bidirectional |
| Version | ESD |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Корпус | SOD323 |
| Max. off-state voltage | 5 V |
| Leakage current | 0.1 µA |
| Количество каналов | 1 |
| Kind of package | reel, tape |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: TVS array; 5.5÷9.5V; 12A; 130W; bidirectional; ESD; SOD323
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.