TOSHIBA
Транзистор T2N7002BK,LM(T
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 60 V
- Drain current
- 0.4 A
- Pulsed drain current
- 1.2 A
- Рассеиваемая мощность
- 0.32 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 7 910 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%19,87 ₽
Сумма · с НДС 22%99,35 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 5 | 19,87 ₽ | |
| от 10 | 11,62 ₽ | |
| от 20 | 10,22 ₽ | |
| от 50 | 9,00 ₽ | |
| от 100 | 8,08 ₽ | |
| от 200 | 7,29 ₽ | |
| от 500 | 6,24 ₽ | |
| от 1500 | 5,12 ₽ | |
| от 3000 | 4,31 ₽ | |
| от 12000 | 4,07 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | T2N7002BK,LM(T |
|---|---|
| Производитель | TOSHIBA |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 60 V |
| Drain current | 0.4 A |
| Pulsed drain current | 1.2 A |
| Рассеиваемая мощность | 0.32 W |
| Корпус | SOT23 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 1.75 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 0.39nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; Idm: 1.2A; 320mW; SOT23
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.