ONSEMI
Диод SZNUP1105LT1G
Фото недоступно- Type of diode
- TVS array
- Breakdown voltage
- 25.7...28.4V
- Max. forward impulse current
- 8A
- Peak pulse power dissipation
- 0.35kW
- Semiconductor structure
- common cathode, double
- Version
- ESD
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | SZNUP1105LT1G |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of diode | TVS array |
| Breakdown voltage | 25.7...28.4V |
| Max. forward impulse current | 8A |
| Peak pulse power dissipation | 0.35kW |
| Semiconductor structure | common cathode, double |
| Version | ESD |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Корпус | SOT23 |
| Max. off-state voltage | 24V |
| Number of channels | 1 |
| Application | automotive industry |
| Kind of package | reel, tape |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: TVS array; 25.7÷28.4V; 8A; 350W; double,common cathode; ESD
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.