ONSEMI

Транзистор SVD2955T4G

SVD2955T4G

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60 V
Drain current: -12 A
Pulsed drain current: -18 A
Power dissipation: 55 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SVD2955T4G
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-60 V
Drain current	-12 A
Pulsed drain current	-18 A
Power dissipation	55 W
Корпус	DPAK
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	0.18 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	15nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; Idm: -18A; 55W; DPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.