Антава

VISHAY

Транзистор SUP90P06-09L-E3

SUP90P06-09L-E3
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-67 A
Power dissipation
250 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSUP90P06-09L-E3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-67 A
Power dissipation250 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance11.8 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge240nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -67A; 250W

Документация

Документ производителя