Антава

VISHAY

Транзистор SUP90N06-6M0P-E3

SUP90N06-6M0P-E3
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
90A
Pulsed drain current
240A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSUP90N06-6M0P-E3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current90A
Pulsed drain current240A
Power dissipation272W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20V
On-state resistance10mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge0.12µC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 90A; Idm: 240A

Документация

Документы пока не предоставлены.