Антава

VISHAY

Транзистор SUP90140E-GE3

SUP90140E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
90 A
Pulsed drain current
240 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSUP90140E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current90 A
Pulsed drain current240 A
Рассеиваемая мощность375 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance18 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge96nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 90A; Idm: 240A

Документация

Документы пока не предоставлены.