Антава

VISHAY

Транзистор SUP85N10-10-GE3

SUP85N10-10-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
85 A
Pulsed drain current
240 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 108 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 361,38 ₽

Сумма · с НДС 22%1 361,38 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 361,38 ₽
от 10789,37 ₽
от 50655,90 ₽
от 100608,24 ₽
от 150579,64 ₽
от 250545,32 ₽
от 500495,74 ₽
от 750465,23 ₽
от 1000448,07 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSUP85N10-10-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current85 A
Pulsed drain current240 A
Power dissipation250 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance22 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge160nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 85A; Idm: 240A

Документация

Документы пока не предоставлены.