Антава

VISHAY

Транзистор SUP85N10-10-E3

SUP85N10-10-E3
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
60A
Power dissipation
250W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSUP85N10-10-E3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current60A
Power dissipation250W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20V
On-state resistance10.5mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge105nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; 250W

Документация

Документ производителя