Антава

VISHAY

Транзистор SUP80090E-GE3

SUP80090E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150V
Drain current
74A
Power dissipation
125W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSUP80090E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150V
Drain current74A
Power dissipation125W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20V
On-state resistance9.4mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge63nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 74A; 125W

Документация

Документ производителя