Антава

VISHAY

Транзистор SUP70101EL-GE3

SUP70101EL-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-100 V
Drain current
-120 A
Pulsed drain current
-240 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSUP70101EL-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-100 V
Drain current-120 A
Pulsed drain current-240 A
Power dissipation375 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance15 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge0.19µC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -120A; 375W

Документация

Документы пока не предоставлены.