Антава

VISHAY

Транзистор SUP70090E-GE3

SUP70090E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
50A
Pulsed drain current
120A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSUP70090E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current50A
Pulsed drain current120A
Power dissipation125W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20V
On-state resistance9.3mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge50nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 50A; Idm: 120A

Документация

Документы пока не предоставлены.