Антава

VISHAY

Транзистор SUP70030E-GE3

SUP70030E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
150 A
Pulsed drain current
500 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSUP70030E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current150 A
Pulsed drain current500 A
Power dissipation375 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3.84 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge214nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 150A; Idm: 500A

Документация

Документы пока не предоставлены.