Антава

VISHAY

Транзистор SUP60061EL-GE3

SUP60061EL-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-80 V
Drain current
-150 A
Pulsed drain current
-250 A
Power dissipation
375 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSUP60061EL-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-80 V
Drain current-150 A
Pulsed drain current-250 A
Power dissipation375 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance5.8 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -150A; Idm: -250A; 375W

Документация

Документы пока не предоставлены.