Антава

VISHAY

Транзистор SUP57N20-33-E3

SUP57N20-33-E3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
33 A
Рассеиваемая мощность
300 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 167 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 053,14 ₽

Сумма · с НДС 22%1 053,14 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 053,14 ₽
от 5845,76 ₽
от 10748,38 ₽
от 25622,15 ₽
от 50542,80 ₽
от 100488,70 ₽
от 250418,37 ₽
от 500371,48 ₽
от 1000322,79 ₽
от 2500302,96 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSUP57N20-33-E3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current33 A
Рассеиваемая мощность300 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance93 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge130nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 33A; 300W

Документация

Документ производителя