Антава

VISHAY

Транзистор SUP53P06-20-E3

SUP53P06-20-E3
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-46.8 A
Power dissipation
66.7 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSUP53P06-20-E3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-46.8 A
Power dissipation66.7 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance25 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge76nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -46.8A; 66.7W

Документация

Документы пока не предоставлены.