Антава

VISHAY

Транзистор SUP50020EL-GE3

SUP50020EL-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
120 A
Pulsed drain current
300 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSUP50020EL-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current120 A
Pulsed drain current300 A
Power dissipation375 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.8 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge126nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 120A; Idm: 300A

Документация

Документы пока не предоставлены.