Антава

VISHAY

Транзистор SUP50020E-GE3

SUP50020E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
120A
Pulsed drain current
300A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSUP50020E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current120A
Pulsed drain current300A
Power dissipation375W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20V
On-state resistance2.7mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge128nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 120A; Idm: 300A

Документация

Документы пока не предоставлены.