Антава

VISHAY

Транзистор SUP50010E-GE3

SUP50010E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
150 A
Pulsed drain current
500 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSUP50010E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current150 A
Pulsed drain current500 A
Power dissipation375 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.5 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge212nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 150A; Idm: 500A

Документация

Документы пока не предоставлены.