VISHAY

Транзистор SUP40012EL-GE3

SUP40012EL-GE3

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40 V
Drain current: 150 A
Pulsed drain current: 300 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SUP40012EL-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	40 V
Drain current	150 A
Pulsed drain current	300 A
Power dissipation	150 W
Корпус	TO220AB
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	2.36 mΩ
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	195nC
Kind of package	tube
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 150A; Idm: 300A

Документация

Документы пока не предоставлены.