Антава

VISHAY

Транзистор SUP40010EL-GE3

SUP40010EL-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
120 A
Pulsed drain current
300 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSUP40010EL-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current120 A
Pulsed drain current300 A
Power dissipation375 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.1 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge230nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 120A; Idm: 300A

Документация

Документы пока не предоставлены.