VISHAY

Транзистор SUM90P10-19L-E3

SUM90P10-19L-E3

Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100 V
Drain current: -90 A
Pulsed drain current: -90 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SUM90P10-19L-E3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Technology	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-100 V
Drain current	-90 A
Pulsed drain current	-90 A
Power dissipation	125 W
Корпус	D2PAK, TO263
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	19 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	326nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -90A; Idm: -90A

Документация

Документ производителя