Антава

VISHAY

Транзистор SUM90220E-GE3

SUM90220E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200V
Drain current
64A
Pulsed drain current
100A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSUM90220E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200V
Drain current64A
Pulsed drain current100A
Power dissipation230W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±20V
On-state resistance23.5mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge48nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 64A; Idm: 100A

Документация

Документы пока не предоставлены.