Антава

VISHAY

Транзистор SUM90140E-GE3

SUM90140E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
75 A
Power dissipation
125 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSUM90140E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current75 A
Power dissipation125 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance17 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge64nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 75A; 125W

Документация

Документ производителя