VISHAY

Транзистор SUM70040M-GE3

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100 V
Drain current: 120 A
Pulsed drain current: 480 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SUM70040M-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	100 V
Drain current	120 A
Pulsed drain current	480 A
Power dissipation	375 W
Корпус	TO263-7
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	4.6 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	0.12µC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A

Документация

Документы пока не предоставлены.